- 12萬-24萬/年
- 株州
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- 工作經驗不限
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- 本科
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- 全職
職位誘惑: 五險一金、名師指導、餐飲補貼、職工公寓、交通補助、通訊補貼、療養(yǎng)補貼、商業(yè)保險,年終獎金,福利好,技術領先,成長空間大,節(jié)日禮物,免費班車
發(fā)布時間: 2020-03-04發(fā)布
職位描述
崗位分類：
芯片設計工程師（IGBT、MOSFET等）、寬禁帶器件研發(fā)工程師（SiC、GaN等）、芯片仿真工程師、功率IC研發(fā)工程師、MEMS研發(fā)工程師、芯片工藝工程師
r任職要求：
u 碩士研究生/本科生 10名以上
ü 具備半導體物理、固體物理等相關理論知識；
ü 自我鞭策能力強，具備良好的創(chuàng)新意識和結構化思維；
ü 優(yōu)秀的英文聽說讀寫能力。
u 博士生 8名以上
ü 具備功率半導體器件相關項目、課題研究經驗；
ü 具備SiC、GaN等第三代半導體材料及器件、電力電子或微電子器件及功率相關的系統(tǒng)知識儲備；
ü 熟悉國內外功率半導體產品、技術及未來應用的發(fā)展趨勢；
ü 具備創(chuàng)新精神，有良好的溝通表達能力及英文聽說讀寫能力（英語六級及以上）。
職位發(fā)布者
湖南國芯半導體科技有限公司
HR
4天
簡歷處理用時
100%
滬公網安備31011502017136號