- 30萬(wàn)-60萬(wàn)/年
- 深圳
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- 3年以上
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- 碩士
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- 全職
職位誘惑: 年終獎(jiǎng)金,年度旅游,技術(shù)領(lǐng)先,成長(zhǎng)空間大,通訊津貼,交通補(bǔ)助,技能培訓(xùn)
發(fā)布時(shí)間: 2021-03-22發(fā)布
職位描述
負(fù)責(zé)IGBT，MOS產(chǎn)品設(shè)計(jì)，負(fù)責(zé)文獻(xiàn)及專利整理及同業(yè)基準(zhǔn)跳叉，TCAD仿真（包括旗艦結(jié)構(gòu)及工藝流程仿真）
負(fù)責(zé)生產(chǎn)工藝開(kāi)發(fā)，產(chǎn)品試驗(yàn)規(guī)劃等
負(fù)責(zé)晶圓 及產(chǎn)品封裝的檢測(cè)
負(fù)責(zé)產(chǎn)品性能測(cè)試，失效分析
任職要求
擁有微電子/電子工程學(xué)碩士或者博士學(xué)歷；或者擁有功率半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
擁有功率半導(dǎo)體器件（如二極管，MOSFET,IGBT等）
擁有TCAD仿真，晶圓加工，元器件封裝及測(cè)試相關(guān)知識(shí)
職位發(fā)布者
henrry Li
HR
7天
簡(jiǎn)歷處理用時(shí)
100%
簡(jiǎn)歷及時(shí)處理率
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