英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司成立于2017年12月，公司坐落于江蘇省蘇州市汾湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，注冊資本20億元人民幣，公司以其雄厚的技術(shù)實(shí)力致力于打造一個集科研、實(shí)驗(yàn)、生產(chǎn)為一體的半導(dǎo)體晶圓片及芯片公司。
公司的核心業(yè)務(wù)是以寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）為主的電力電子器件全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，打造中國第一條8英寸氮化鎵工藝器件生產(chǎn)線。
產(chǎn)品廣泛地應(yīng)用于5G基站、無人駕駛、手機(jī)、車載設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、逆變器、節(jié)能電機(jī)、大型數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)、電動汽車等領(lǐng)域。
公司所擁有的8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)，能生長出翹曲度低、缺陷及位錯密度低、漏電流小的晶圓，且碎片率大幅度降低。
公司自行開發(fā)和設(shè)計(jì)的氮化鎵功率器件已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，并廣泛應(yīng)用于新能源、信息與通信以及智能工業(yè)等領(lǐng)域。
英諾賽科集合了國內(nèi)外半導(dǎo)體精英，形成了國際化的管理團(tuán)隊(duì)，致力于打造中國功率半導(dǎo)體國際一流品牌，為國家半導(dǎo)體騰飛做出貢獻(xiàn)。

創(chuàng)新引領(lǐng)時代、同心筑夢中國、用芯點(diǎn)亮未來！